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QS6J1TR
MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
Número de pieza
QS6J1TR
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Not For New Designs
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Potencia - Máx.
1.25W
Paquete de dispositivo del proveedor
TSMT6 (SC-95)
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1.5A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
215 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 10V
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