Comprar Rohm Semiconductor SCT2120AFC MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB

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SCT2120AFC

MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB

Número de pieza

SCT2120AFC

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

SiCFET (Silicon Carbide)

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220AB

Disipación de energía (máx.)

165W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

29A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

156 mOhm @ 10A, 18V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 3.3mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

61nC @ 18V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 500V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

18V

Vgs (máx.)

+22V, -6V

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