Comprar Rohm Semiconductor SCT2160KEC MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247

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SCT2160KEC

MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247

Número de pieza

SCT2160KEC

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

SiCFET (Silicon Carbide)

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-247

Disipación de energía (máx.)

165W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

22A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

208 mOhm @ 7A, 18V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 2.5mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 18V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 800V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

18V

Vgs (máx.)

+22V, -6V

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