Comprar Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ304(F) MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS

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2SJ304(F)

MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS

Número de pieza

2SJ304(F)

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Bulk

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3 Full Pack

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220NIS

Disipación de energía (máx.)

40W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

14A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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