Comprar Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360(F) MOSFET P-CH 60V 1A SC-62

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

2SJ360(F)

MOSFET P-CH 60V 1A SC-62

Número de pieza

2SJ360(F)

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Bulk

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-243AA

Paquete de dispositivo del proveedor

PW-MINI

Disipación de energía (máx.)

500mW (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

730 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 45437 PCS

Información del contacto