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TK160F10N1L,LQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Número de pieza
TK160F10N1L,LQ
Fabricante/Marca
Serie
U-MOSVIII-H
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220SM(W)
Disipación de energía (máx.)
375W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
160A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
122nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
10100pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
6V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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