Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TK16A55D(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 550V 16A TO-220SIS - YYIC

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TK16A55D(STA4,Q,M)

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TK16A55D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 550V 16A TO-220SIS

Número de pieza

TK16A55D(STA4,Q,M)

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVII

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3 Full Pack

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220SIS

Disipación de energía (máx.)

-

Tipo FET

N-Channel

Función FET

-

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

550V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

16A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

330 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

-

Vgs (máx.)

-

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