Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TK4R3E06PL,S1X X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

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TK4R3E06PL,S1X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Número de pieza

TK4R3E06PL,S1X

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIX-H

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220

Disipación de energía (máx.)

87W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

80A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

7.2 mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 500µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

48.2nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3280pF @ 30V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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