Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TK4R4P06PL,RQ MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK

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TK4R4P06PL,RQ

MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK

Número de pieza

TK4R4P06PL,RQ

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIX-H

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

175°C

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

DPAK

Disipación de energía (máx.)

87W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

58A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4.4 mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 500µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

48.2nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3280pF @ 30V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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