Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R203NC,L1Q MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV

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Hojas de datos

TPN4R203NC,L1Q

MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV

Número de pieza

TPN4R203NC,L1Q

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Disipación de energía (máx.)

700mW (Ta), 22W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

23A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4.2 mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.3V @ 200µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1370pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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