Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R712MD,L1Q MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV

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TPN4R712MD,L1Q

MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV

Número de pieza

TPN4R712MD,L1Q

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVI

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Disipación de energía (máx.)

42W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

36A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4.7 mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.2V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4300pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±12V

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