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IRC630PBF
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5
Número de pieza
IRC630PBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-5
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220-5
Disipación de energía (máx.)
74W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Current Sensing
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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