Comprar Vishay Siliconix IRC640PBF MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5

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IRC640PBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5

Número de pieza

IRC640PBF

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-5

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220-5

Disipación de energía (máx.)

125W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Current Sensing

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

18A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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