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SIA907EDJT-T1-GE3

SIA907EDJT-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L
Número de pieza
SIA907EDJT-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Potencia - Máx.
7.8W
Paquete de dispositivo del proveedor
-
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4.5A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
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Palabras clave deSIA907EDJT-T1-GE3
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