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SIA910EDJ-T1-GE3

SIA910EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
Número de pieza
SIA910EDJ-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Potencia - Máx.
7.8W
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4.5A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
455pF @ 6V
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Palabras clave deSIA910EDJ-T1-GE3
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