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SIHU3N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
Número de pieza
SIHU3N50D-E3
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-251AA
Disipación de energía (máx.)
69W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
500V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
175pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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