Comprar Vishay Siliconix SIHU4N80E-GE3 MOSFET N-CHAN 800V TO-251

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SIHU4N80E-GE3

MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Número de pieza

SIHU4N80E-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

Paquete de dispositivo del proveedor

IPAK (TO-251)

Disipación de energía (máx.)

69W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

800V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4.3A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.27 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

622pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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