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SIUD406ED-T1-GE3

SIUD406ED-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806
Número de pieza
SIUD406ED-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® 0806
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® 0806
Disipación de energía (máx.)
1.25W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
500mA (Ta)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
17pF @ 15V
Vgs (máx.)
±8V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.8V, 4.5V
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