Comprar Vishay Siliconix SIUD412ED-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806

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Hojas de datos

SIUD412ED-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806

Número de pieza

SIUD412ED-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® 0806

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® 0806

Disipación de energía (máx.)

1.25W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

12V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

500mA (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

340 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

900mV @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

0.71nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

21pF @ 6V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.2V, 4.5V

Vgs (máx.)

±5V

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