Comprar Vishay Siliconix SQ2301ES-T1_GE3 MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Hojas de datos

SQ2301ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236

Número de pieza

SQ2301ES-T1_GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TA)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-236 (SOT-23)

Disipación de energía (máx.)

3W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3.9A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

425pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±8V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 22068 PCS

Información del contacto