Comprar Vishay Siliconix SQ2303ES-T1_GE3 MOSFET P-CHAN 30V SOT23

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Hojas de datos

SQ2303ES-T1_GE3

MOSFET P-CHAN 30V SOT23

Número de pieza

SQ2303ES-T1_GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-236 (SOT-23)

Disipación de energía (máx.)

1.9W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

2.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

170 mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

6.8nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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