onsemi (Ansemi)
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MBRA130LT3G 30V 1A 410mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 30 V

MBRA130LT3G

30V 1A 410mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 30 V
Número de pieza
MBRA130LT3G
Categoría
diode > Schottky diode
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SMA (DO-214AC)
Embalaje
taping
Número de paquetes
5000
Descripción
The Schottky diode uses the Schottky diode barrier principle and uses a metal-silicon Power rectifier. The Schottky diode has an epitaxial structure with oxide passivation and metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency switching power supply, freewheeling diode and polarity protection diode.
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