Comprar onsemi (Ansemi) MBRA1H100T3G 100V 1A 760mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 100 V

onsemi (Ansemi)

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MBRA1H100T3G

100V 1A 760mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 100 V

Número de pieza

MBRA1H100T3G

Categoría

diode > Schottky diode

Fabricante/Marca

onsemi (Ansemi)

Encapsulación

SMA

Embalaje

taping

Número de paquetes

5000

Descripción

The Schottky diode uses the Schottky diode barrier principle and uses a metal-silicon Power rectifier. It employs an epitaxial structure with oxide passivation and metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency switching power supply, freewheeling diode and polarity protection diode.

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