onsemi (Ansemi)
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MBRA210LT3G 10V 2A 350mV@2A Schottky diodePower rectifier, 2.0 A, 10 V

MBRA210LT3G

10V 2A 350mV@2A Schottky diodePower rectifier, 2.0 A, 10 V
Número de pieza
MBRA210LT3G
Categoría
diode > Schottky diode
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SMA (DO-214AC)
Embalaje
taping
Número de paquetes
5000
Descripción
...Using the Schottky diode potential barrier principle, a metal-silicon power diode is used. It has an epitaxial structure with oxide passivation and metal-covered contacts. Suitable for low-voltage high-frequency switching power supply, freewheeling diode and polarity protection diode. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and other applications where performance and size are critical.
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