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IXTP01N100D

MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB

Número de pieza

IXTP01N100D

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220AB

Disipación de energía (máx.)

1.1W (Ta), 25W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Depletion Mode

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1000V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

100mA (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

110 Ohm @ 50mA, 0V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

Vgs (máx.)

±20V

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