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IXTP05N100M
MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220
Número de pieza
IXTP05N100M
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220AB
Disipación de energía (máx.)
25W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1000V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
700mA (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
17 Ohm @ 375mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 25µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
260pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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