La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXTP05N100
MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220
Número de pieza
IXTP05N100
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220AB
Disipación de energía (máx.)
40W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1000V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
750mA (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
17 Ohm @ 375mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
260pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 40262 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXTP05N100
IXTP05N100 Componentes electrónicos
IXTP05N100 Ventas
IXTP05N100 Proveedor
IXTP05N100 Distribuidor
IXTP05N100 Tabla de datos
IXTP05N100 Fotos
IXTP05N100 Precio
IXTP05N100 Oferta
IXTP05N100 El precio más bajo
IXTP05N100 Buscar
IXTP05N100 Adquisitivo
IXTP05N100 Chip