La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
LSIC1MO120E0080
MOSFET SIC 1200V 25A TO-247-3L
Número de pieza
LSIC1MO120E0080
Estado de la pieza
Active
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247-3
Disipación de energía (máx.)
179W (Tc)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
39A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 10mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1825pF @ 800V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a chen_hx1688@hotmail.com, le responderemos lo antes posible.
En stock 46399 PCS
Palabras clave deLSIC1MO120E0080
LSIC1MO120E0080 Componentes electrónicos
LSIC1MO120E0080 Ventas
LSIC1MO120E0080 Proveedor
LSIC1MO120E0080 Distribuidor
LSIC1MO120E0080 Tabla de datos
LSIC1MO120E0080 Fotos
LSIC1MO120E0080 Precio
LSIC1MO120E0080 Oferta
LSIC1MO120E0080 El precio más bajo
LSIC1MO120E0080 Buscar
LSIC1MO120E0080 Adquisitivo
LSIC1MO120E0080 Chip