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LSIC1MO120E0080

LSIC1MO120E0080

MOSFET SIC 1200V 25A TO-247-3L
Número de pieza
LSIC1MO120E0080
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247-3
Disipación de energía (máx.)
179W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
39A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 10mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1825pF @ 800V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
20V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
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