La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0160

SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
Número de pieza
LSIC1MO120E0160
Fabricante/Marca
Estado de la pieza
Active
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247-3
Disipación de energía (máx.)
125W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
22A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
870pF @ 800V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 35988 PCS
Información del contacto
Palabras clave deLSIC1MO120E0160
LSIC1MO120E0160 Componentes electrónicos
LSIC1MO120E0160 Ventas
LSIC1MO120E0160 Proveedor
LSIC1MO120E0160 Distribuidor
LSIC1MO120E0160 Tabla de datos
LSIC1MO120E0160 Fotos
LSIC1MO120E0160 Precio
LSIC1MO120E0160 Oferta
LSIC1MO120E0160 El precio más bajo
LSIC1MO120E0160 Buscar
LSIC1MO120E0160 Adquisitivo
LSIC1MO120E0160 Chip