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LSIC1MO120E0120

LSIC1MO120E0120

SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3
Número de pieza
LSIC1MO120E0120
Fabricante/Marca
Estado de la pieza
Active
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247-3
Disipación de energía (máx.)
139W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
27A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 14A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 7mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1125pF @ 800V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
20V
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